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CGA6P3X7S1H106K价格
参考价格：￥1.9039
型号：CGA6P3X7S1H106K250AB 品牌：TDK 备注：这里有CGA6P3X7S1H106K多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，CGA6P3X7S1H106K批发/采购报价，CGA6P3X7S1H106K行情走势销售排行榜，CGA6P3X7S1H106K报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
CGA6P3X7S1H106K | AutomotiveGradeCapacitors 文件：1.15799 Mbytes Page：36 Pages | TDKTDK Corporation TDK株式会社东电化（中国）投资有限公司 |  |   |
MULTILAYERCERAMICCHIPCAPACITORS ■FEATURES •Superiormechanicalstrengthandhighreliabilityduetothemonolithic structure •OutstandingfrequencycharacteristicssuchaslowESRandlowESL bythesimplestructure •Lowself-heatingvalueandhighresistancetorippleonaccountofthe lowESR •Nopolarity •AEC-Q20 | TDKTDK Corporation TDK株式会社东电化（中国）投资有限公司 | | | |
AutomotiveGrade(General(Upto50V)) 文件：138.9 Kbytes Page：1 Pages | TDKTDK Corporation TDK株式会社东电化（中国）投资有限公司 | | | |
封装/外壳：1210（3225 公制） 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：CAP CER 10UF 50V X7S 1210 电容器 陶瓷电容器 | TDKTDK Corporation TDK株式会社东电化（中国）投资有限公司 | | | |
MultilayerCeramicChipCapacitors 文件：237.84 Kbytes Page：3 Pages | TDKTDK Corporation TDK株式会社东电化（中国）投资有限公司 | | | |
AutomotiveGrade(SoftTermination) 文件：139.01 Kbytes Page：1 Pages | TDKTDK Corporation TDK株式会社东电化（中国）投资有限公司 | | | |
封装/外壳：1210（3225 公制） 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：CAP CER 10UF 50V X7S 1210 电容器 陶瓷电容器 | TDKTDK Corporation TDK株式会社东电化（中国）投资有限公司 | | | |
MultilayerCeramicChipCapacitors 文件：235.89 Kbytes Page：3 Pages | TDKTDK Corporation TDK株式会社东电化（中国）投资有限公司 | | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TDK/东电化 |
24+ |
SMD1210 |
21222 |
TDK原厂直供,全系列可订货。美金交易,大陆交货。 |
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TDK |
24+ |
1210 |
1000 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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TDK |
2025+ |
SMD |
16854648 |
代理销售TDK原装现货 |
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原装正品TDK |
20+ |
SMD |
3000 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
TDK |
23+ |
SMD1210 |
12800 |
公司只有原装 欢迎来电咨询。 |
|||
TDK |
23+ |
SMD1210 |
28000 |
原装正品 |
|||
TDK/东电化 |
23+ |
SMD1210 |
15000 |
全新原装现货,假一赔十。 |
|||
TDK/东电化 |
24+ |
NA |
463000 |
原装现货,专业配单专家 |
|||
TDK |
1833 |
SMD |
2000 |
原装正品现货 |
|||
TDK |
1844+ |
NA |
9852 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
CGA6P3X7S1H106K芯片相关品牌
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CGH09120F/P 是 Wolfspeed 推出的基于 GaN-on-SiC（氮化镓基于碳化硅）射频功率晶体管，专为 700 MHz 到 960 MHz 频段的高效射频和微波功率放大器设计。
CGH09120F/P品牌镁可
2025-3-26CGA5L1X7R1E106KT0Y0E
CGA5L1X7R1E106KT0Y0E是一款高性能的多层陶瓷电容器，具有高电容密度、高电压容限、高温稳定性、低ESR和低ESL等特点。它适用于各种电路和应用，包括紧凑型电路设计、高电压应用、高温环境下的应用和高频应用等。同时，它还具有高可靠性和长寿命，能够稳定工作并满足各种工业标
2023-6-21CGH40006P
射频结栅场效应晶体管(RFJFET)晶体管GaNHEMTDC-6.0GHz，6Watt
2019-12-7CGH21240F
Cree，Inc.240W，GaNHEMT，28V，1.8-2.1GHz，Flange
2019-12-7CGA4J3X7R1C225KT0Y0N深圳市光华微科技有限公司 18138231376
联系人：刘冬英 电话：0755-83203002 手机：18138231376、18806643356 QQ号：1546282226、微信号：18138231376 公司名称：深圳市光华微科技有限公司 公司地址：深圳市福田区振兴路华匀大厦1栋712室
2019-7-23CGA4J3X7R1C225KT0Y0N深圳市光华微科技有限公司0755-83203002
联系人：刘冬英 电话：0755-83203002 手机：18138231376、18806643356 QQ号：1546282226、微信号：18138231376 公司名称：深圳市光华微科技有限公司 公司地址：深圳市福田区振兴路华匀大厦1栋712室
2019-7-6
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