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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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CGA5L3X7R1C475M160ADE | 积层贴片陶瓷片式电容器 | TDK 东电化 |   | |
MULTILAYER CERAMIC CHIP CAPACITORS ■FEATURES • Superior mechanical strength and high reliability due to the monolithic structure • Outstanding frequency characteristics such as low ESR and low ESL by the simple structure • Low self-heating value and high resistance to ripple on account of the low ESR • No polarity • AEC-Q20 | TDK 东电化 | | ||
Automotive Grade ( General (Up to 50V) ) 文件：138.71 Kbytes Page：1 Pages | TDK 东电化 | | ||
Automotive Grade ( Counductive Epoxy Application ) 文件：138.67 Kbytes Page：1 Pages | TDK 东电化 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TDK(东电化) |
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TDK |
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CGA5L3X7R1C475M160ADE数据表相关新闻
CGH09120F/P 是 Wolfspeed 推出的基于 GaN-on-SiC（氮化镓基于碳化硅）射频功率晶体管，专为 700 MHz 到 960 MHz 频段的高效射频和微波功率放大器设计。
CGH09120F/P 品牌 镁可
2025-3-26CGA5L1X7R1E106KT0Y0E
CGA5L1X7R1E106KT0Y0E是一款高性能的多层陶瓷电容器，具有高电容密度、高电压容限、高温稳定性、低ESR和低ESL等特点。它适用于各种电路和应用，包括紧凑型电路设计、高电压应用、高温环境下的应用和高频应用等。同时，它还具有高可靠性和长寿命，能够稳定工作并满足各种工业标
2023-6-21CGH40006P
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz， 6 Watt
2019-12-7CGH21240F
Cree， Inc. 240W， GaN HEMT， 28V， 1.8-2.1GHz， Flange
2019-12-7CGA4J3X7R1C225KT0Y0N深圳市光华微科技有限公司 18138231376
联系人：刘冬英 电话：0755-83203002 手机：18138231376、18806643356 QQ号：1546282226、微信号：18138231376 公司名称：深圳市光华微科技有限公司 公司地址：深圳市福田区振兴路华匀大厦1栋712室
2019-7-23CGA4J3X7R1C225KT0Y0N深圳市光华微科技有限公司0755-83203002
联系人：刘冬英 电话：0755-83203002 手机：18138231376、18806643356 QQ号：1546282226、微信号：18138231376 公司名称：深圳市光华微科技有限公司 公司地址：深圳市福田区振兴路华匀大厦1栋712室
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