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CGA5L3X7R1C475M160AB价格
参考价格：￥0.4637
型号：CGA5L3X7R1C475M160AB 品牌：TDK 备注：这里有CGA5L3X7R1C475M160AB多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，CGA5L3X7R1C475M160AB批发/采购报价，CGA5L3X7R1C475M160AB行情走势销售排行榜，CGA5L3X7R1C475M160AB报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
CGA5L3X7R1C475M160AB | MULTILAYERCERAMICCHIPCAPACITORS ■FEATURES •Superiormechanicalstrengthandhighreliabilityduetothemonolithic structure •OutstandingfrequencycharacteristicssuchaslowESRandlowESL bythesimplestructure •Lowself-heatingvalueandhighresistancetorippleonaccountofthe lowESR •Nopolarity •AEC-Q20 | TDKTDK Corporation TDK株式会社东电化（中国）投资有限公司 |  |   |
CGA5L3X7R1C475M160AB | 封装/外壳：1206（3216 公制） 包装：剪切带（CT）带盒（TB） 描述：CAP CER 4.7UF 16V X7R 1206 电容器 陶瓷电容器 | TDKTDK Corporation TDK株式会社东电化（中国）投资有限公司 | | |
CGA5L3X7R1C475M160AB | 封装/外壳：1206（3216 公制） 包装：剪切带（CT）带盒（TB） 描述：CAP CER 4.7UF 16V X7R 1206 电容器 陶瓷电容器 | TDKTDK Corporation TDK株式会社东电化（中国）投资有限公司 | | |
CGA5L3X7R1C475M160AB | AutomotiveGrade(General(Upto50V)) 文件：138.71 Kbytes Page：1 Pages | TDKTDK Corporation TDK株式会社东电化（中国）投资有限公司 | | |
MultilayerCeramicChipCapacitors 文件：236.94 Kbytes Page：3 Pages | TDKTDK Corporation TDK株式会社东电化（中国）投资有限公司 | | | |
AutomotiveGrade(CounductiveEpoxyApplication) 文件：138.67 Kbytes Page：1 Pages | TDKTDK Corporation TDK株式会社东电化（中国）投资有限公司 | | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TDK |
2025+ |
SMD |
16854648 |
代理销售TDK原装现货 |
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TDK |
23+ |
SMD |
3482 |
专注配单,只做原装进口现货 |
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TDK/东电化 |
2450+ |
1206 |
8540 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
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TDK/东电化 |
23+ |
C1206 |
372000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
|||
TDK |
专业军工 |
NA |
1000 |
只做原装正品军工级部分订货 |
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TDK |
24+ |
SMD |
220000 |
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TDK |
22+ |
SMD |
22000 |
原装现货样品可售 |
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TDK |
17+ |
SMD |
100000 |
原装正品现货 |
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TDK |
2019+ |
SMD |
120000 |
原盒原包装 可BOM配套 |
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TDK |
24+ |
1206 |
2000 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
CGA5L3X7R1C475M160AB芯片相关品牌
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CGA5L3X7R1C475M160AB数据表相关新闻
CGH09120F/P 是 Wolfspeed 推出的基于 GaN-on-SiC（氮化镓基于碳化硅）射频功率晶体管，专为 700 MHz 到 960 MHz 频段的高效射频和微波功率放大器设计。
CGH09120F/P品牌镁可
2025-3-26CGA5L1X7R1E106KT0Y0E
CGA5L1X7R1E106KT0Y0E是一款高性能的多层陶瓷电容器，具有高电容密度、高电压容限、高温稳定性、低ESR和低ESL等特点。它适用于各种电路和应用，包括紧凑型电路设计、高电压应用、高温环境下的应用和高频应用等。同时，它还具有高可靠性和长寿命，能够稳定工作并满足各种工业标
2023-6-21CGH40006P
射频结栅场效应晶体管(RFJFET)晶体管GaNHEMTDC-6.0GHz，6Watt
2019-12-7CGH21240F
Cree，Inc.240W，GaNHEMT，28V，1.8-2.1GHz，Flange
2019-12-7CGA4J3X7R1C225KT0Y0N深圳市光华微科技有限公司 18138231376
联系人：刘冬英 电话：0755-83203002 手机：18138231376、18806643356 QQ号：1546282226、微信号：18138231376 公司名称：深圳市光华微科技有限公司 公司地址：深圳市福田区振兴路华匀大厦1栋712室
2019-7-23CGA4J3X7R1C225KT0Y0N深圳市光华微科技有限公司0755-83203002
联系人：刘冬英 电话：0755-83203002 手机：18138231376、18806643356 QQ号：1546282226、微信号：18138231376 公司名称：深圳市光华微科技有限公司 公司地址：深圳市福田区振兴路华匀大厦1栋712室
2019-7-6
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