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GaAs MES FET

C to Ku BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL GaAs MES FET FEATURES • Low noise figure NF = 1.6 dB TYP. at f = 12 GHz • High associated gain Ga = 9.0 dB TYP. at f = 12 GHz • Gate length: Lg = 0.3 Pm • Gate width: Wg = 280 Pm

RENESAS

瑞萨

Hardened Managed 16-port 10/100BASE PoE with 2-port Gigabit combo Ethernet Switch

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AXIOMTEK

艾讯科技

LOW NOISE L TO Ku BAND GaAs MESFET

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NEC

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LOW NOISE L TO Ku BAND GaAs MESFET

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NEC

瑞萨

TELECOM MAGNETICS SM76000

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DATATRONICS

更新时间:2025-12-24 9:11:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NEC
23+
TO-59
8510
原装正品代理渠道价格优势
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MOSFET
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