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GaAs MES FET

C to Ku BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL GaAs MES FET FEATURES • Low noise figure NF = 1.6 dB TYP. at f = 12 GHz • High associated gain Ga = 9.0 dB TYP. at f = 12 GHz • Gate length: Lg = 0.3 Pm • Gate width: Wg = 280 Pm

RENESAS

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Hardened Managed 16-port 10/100BASE PoE with 2-port Gigabit combo Ethernet Switch

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艾讯科技

LOW NOISE L TO Ku BAND GaAs MESFET

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NEC

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LOW NOISE L TO Ku BAND GaAs MESFET

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TELECOM MAGNETICS SM76000

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更新时间:2026-3-17 15:20:01
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