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CEB83A3	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 30V,100A,RDS(ON)=5.3mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=8.0mΩ@VGS=4.5V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. Leadfreeproductisacquired.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司
CEB83A3	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 30V,100A,RDS(ON)=5.3mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. RDS(ON)=8.0mW@VGS=4.5V. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司
CEB83A3G	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 30V,102A,RDS(ON)=4.2mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. RDS(ON)=6.2mW@VGS=4.5V. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司
CED83A3	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 30V,80A,RDS(ON)=6mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RDS(ON)=9mW@VGS=4.5V. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司
CED83A3	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■30V,80A,RDS(ON)=6mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=9mΩ@VGS=4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司

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更新时间：2024-6-23 16:42:01

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