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Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor(N and Channel)

FEATURES ■ 20V, 5A, RDS(ON) = 32mΩ @VGS = 4.5V. RDS(ON) = 43mΩ @VGS = 2.5V. ■ -20V, -4A, RDS(ON) = 95mΩ @VGS = -4.5V. RDS(ON) = 125mΩ @VGS = -2.5V. ■ Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ High power and current handing capability. ■

CET

华瑞

Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor(N and Channel)

CET

华瑞

Bulk Metal® Foil Technology Conformally Coated Precision Current Sensing Resistors with TCR of 5 ppm/°C and values down to 5 mΩ

文件:105.62 Kbytes Page:4 Pages

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

TOGGLE SWITCHES - SUB MINIATURE

文件:718.4 Kbytes Page:5 Pages

E-SWITCH

Easy Identification and Tracing with 10-color Cable

文件:1.18408 Mbytes Page:2 Pages

ARIES

100/200

文件:3.83844 Mbytes Page:2 Pages

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

Resistant to tears and punctures

文件:225.28 Kbytes Page:2 Pages

LSTD

莱尔德

更新时间:2025-12-25 11:02:00
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    CEM-1205C KBS-13DB-4P-2 PKM17EPPH4001-BO 7BB-27-4C PKM17EWH4000 7BB-20-3CL0 7BB-27-3R5 7BB-35-3CL0 7BB-50M-1 PKM24SP-3805 1.30.078.001/0100 1.30.249.002/0000 MSS300R AST1240MLQ MSE14LSU2 PK-27A35WQ PK-27N36WQ PT-1540PQ PT-4175WQ SC250M SW360308-1 SW380408-1 SW230704-1 SW390608

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    CEM9435,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

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