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20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

Features  Low RDS(ON) – Ensures On State Losses are Minimized  Small Form Factor, Thermally Efficient Package Enables Higher Density End Products  Occupies Just 33 of the Board Area Occupied by SO-8 Enabling Smaller End Product  100 Unclamped Inductive Switching (UIS) Test in Production

DIODES

美台半导体

更新时间:2026-3-12 15:43:01
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