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CAB320M17XM3

1700 V, 3.5 mΩ, Silicon Carbide, Half-Bridge Module

Technical Features • High Power Density Footprint • High Junction Temperature (175 °C) Operation • Low-Inductance (6.7 nH) Design • Implements Wolfspeed’s Third Generation SiC MOSFET Technology • Silicon Nitride Insulator and Copper Baseplate • 1700 V Drain-Source Voltage • Cross-pin Gate-

WOLFSPEED

CAB320M17XM3

Gate Driver Boards

WOLFSPEED

更新时间:2025-11-21 11:47:00
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