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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
C6D10065G-TR | 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 包装：管件 描述：10A 650V SIC SCHOTTKY DIODE 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 | WOLFSPEED WOLFSPEED, INC. |  |   |
6thGeneration650V,10ASiliconCarbideSchottkyDiode Description WiththeperformanceadvantagesofaSiliconCarbide(SiC) SchottkyBarrierdiode,powerelectronicssystemscanexpect tomeethigherefficiencystandardsthanSi-basedsolutions, whilealsoreachinghigherfrequenciesandpowerdensities. SiCdiodescanbeeasilyparalleledtom | WOLFSPEED WOLFSPEED, INC. | | | |
SiliconCarbideSchottkyDiode 文件：708.97 Kbytes Page：6 Pages | CreeCree, Inc 科锐 |  | | |
650-VDirectWBGDiode KeyFeatures: •SiCperformance •Easyparalleling •Highcurrentcarryingcapability •Verylowjunctioncapacitance •HighlystableV FandQRRatelevated temperatures | AnalogPower Analog Power |  | | |
650-VDirectWBGDiode KeyFeatures: •SiCperformance •Easyparalleling •Highcurrentcarryingcapability •Verylowjunctioncapacitance •HighlystableVFandQRRatelevated temperatures | AnalogPower Analog Power | | | |
650-VDirectWBGDiode KeyFeatures: •SiCperformance •Easyparalleling •Highcurrentcarryingcapability •Verylowjunctioncapacitance •HighlystableVFandQRRatelevated temperatures | AnalogPower Analog Power | | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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原装正品现货
2022-7-13C8051F020-GQR最大时钟频率:25 MHz 输入/输出端数量:64 I/O 数据 RAM 大小:4.25 kB
C8051F020-GQR
2021-9-17C5BQ和C8AQ系列石英晶体FC5BQCCMC12.0-T1
FoxElectronics的C5BQ和C8AQ系列SMD晶体符合RoHS要求，可用于多种晶体应用
2019-12-3C70710M0065122A
C70710M0065122A，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2019-4-5
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