150 WATTS (AC) DC/DC SINGLE OUTPUT

Features • Single Output • 3U x 14TE x 165mm 12TE: Upon request • Weight 1kg

丝印代码：C3074；Bipolar Small-Signal Transistors

MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

丝印代码：C3076；Bipolar Small-Signal Transistors

MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

大面积UV增强型APD

功能与优点：\n\n高量子效率\n\n弱暗电流\n\n易于与闪烁晶体耦合\n\n不受电磁场干扰\n\n短波响应度提高。可提供定制封装\n\n优异的时间分辨率\n\n符合RoHS标准\n\n应用领域：\n\n高能物理学\n\n辐射探测\n\n粒子物理学\n\n仪器\n\n环境监测\n\n • 感光面积：100 mm²\n• 工作电压范围：275 - 425V\n• 电容：60 pF\n• 暗电流：250 nA\n• 噪声电流：0.7pA/√Hz\n• NEP：40 fW/√Hz，530nm\n• 封装：扁平封装\n• 峰值灵敏度波长：530 nm\n• 光敏面积：10 x 10 mm\n• 响应时间：5 ns\n• 响应度：在530 nm处为16 A/W;

铟镓砷PIN光电二极管

功能与优点：\n\n提供超低电容选择 \n\n在1300 nm和1550 nm处响应度高\n\n感光面直径：5.0 mm\n\n大动态范围内的高线性度\n\n提供各种完善的TO封装\n\n可以进行封装定制（例如添加TEC）\n\n符合RoHS标准\n\n应用领域：\n\n光功率计\n\n光纤测试通讯\n\n近IR光谱\n\n激光仿形台\n\n仪器\n\nLiDAR\n\n • 击穿电压：> 10 V\n• 工作电压：5 V\n• 光伏电容：950 pF\n• 暗电流（1V时）：20.0nA\n• 封装：TO-8\n• 在1300和1550 nm具有高响应度\n• 响应度：• 850 nm时为0.20 A/W\n• 1300 nm时为0.90 A/W\n• 1550 nm时为0.95 A/W\n\n;

大容量、高成本效益型Si APD

C30724系列APD在800至950 nm的波长范围内具有高响应度，上升和下降时间约为5 ns，下降时间无“拖尾”特征。该系列APD非常适合大体积905 nm激光测距应用，可在固定电压下工作，无需温度补偿。C30724EH的特别之处是采用气密TO-18金属封装。\n\n主要特性：\n\n采用金属TO罐体封装带905 nm滤光片的Si APD\n\n5 ns上升+下降时间-无拖尾\n\n低放大倍数下运行\n\n无需温度补偿\n\n关键应用：\n\n激光测距\n\n激光测距仪\n\n交通测速枪 • 感光面积：0.2mm2\n\n• 感光直径：0.5 mm\n\n• 击穿电压：350V\n\n• 电容：1 pF\n\n• 暗电流：20 nA\n\n• 增益：>12、15、<18\n\n• 噪声电流：0.1pA/√Hz\n\n• 封装：TO-18\n\n• 峰值灵敏度波长：920 nm\n\n• 光敏直径：0.5 mm\n\n• 光敏直径：0.5 mm\n\n• 响应度：在920 nm处为8.5 A/W\n\n• 上升/下降时间：5 ns\n\n• 总暗电流（基板+表面）：20 nA\n\n• 工作电压范围：150-200 V\n\n• 波长：400-1100nm;

LOW COST SILICON AVALANCHE PHOTODIODE (Plastic Encapsulated Package)

[EG&G CANADA]

High Current Switching Applications

High Current Switching Applications • Low collector saturation voltage: VCE (sat) = 0.4 V (max) (IC = 3 A) • High speed switching time: tstg = 1.0 μs (typ.) • Complementary to 2SA1244

2/3-inch CCD Video Camera

The C3077-70/-71 incorporates a next generation 2/3-inch CCD into a new compact B/W camera. Features of this model include high resolution, sensitivity, and S/N ratio. An electronic shutter function enables monitoring of moving objects. FEATURES ● High Sensitivity ● High S/N Ratio C3077-70

2/3-inch CCD Video Camera

The C3077-70/-71 incorporates a next generation 2/3-inch CCD into a new compact B/W camera. Features of this model include high resolution, sensitivity, and S/N ratio. An electronic shutter function enables monitoring of moving objects. FEATURES ● High Sensitivity ● High S/N Ratio C3077-70

2/3-inch CCD Video Camera

The C3077-70/-71 incorporates a next generation 2/3-inch CCD into a new compact B/W camera. Features of this model include high resolution, sensitivity, and S/N ratio. An electronic shutter function enables monitoring of moving objects. FEATURES ● High Sensitivity ● High S/N Ratio C3077-70

封装/外壳：TO-233AA，TO-8-3 透镜顶部金属罐 包装：散装 描述：INGAAS PIN, 5MM, TO-8 PACKAGE 传感器，变送器 光学传感器 - 光电二极管

Stable Gain Silicon Avalanche Photodiode (APD) for High Volume Range Finding

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封装/外壳：TO-18-2 金属罐 包装：散装 描述：SENSOR PHOTODIODE 920NM TO18-2 传感器，变送器 光学传感器 - 光电二极管

Epitaxial Silicon Avalanche Photodiode

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Epitaxial Silicon Avalanche Photodiode

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Epitaxial Silicon Avalanche Photodiode

文件：101.25 Kbytes Page：5 Pages

Epitaxial Silicon Avalanche Photodiode

文件：101.25 Kbytes Page：5 Pages

Epitaxial Silicon Avalanche Photodiode

文件：101.25 Kbytes Page：5 Pages

Silicon Avalanche Photodiodes (APDs) for LIDAR, range finding and laser meters ??plastic, leadless ceramic and FR4 packages

文件：1.113 Mbytes Page：14 Pages

High Current Switching Applications

文件：189.25 Kbytes Page：5 Pages

Silicon Photomultipliers with 3x3 mm짼 active area

文件：687.93 Kbytes Page：5 Pages

Amplifier Transistors(PNP)

Amplifier Transistors PNP Silicon

Amplifier Transistors(PNP)

Amplifier Transistors PNP Silicon

Amplifier Transistors(PNP)

Amplifier Transistors PNP Silicon

HIGH EFFICIENCY RECTIFIERS(3.0A,600-1000V)

Operational Amplifiers

文件：194.55 Kbytes Page：10 Pages

Dual Master-Slave J-K Flip-Flops with Clear and Complementary Outputs

Transistor transistor logic

INTEGRATED CIRCUIT PINOUTS

DUAL J-K FLIP-FLOPS WITH CLEAR

DUAL J-K FLIP-FLOPS WITH CLEAR