找IC，尽在114IC

芯片资料
  • 芯片资料
  • 丝印反查
  • 库存查询
  • 行业新闻
  • 制造商
  • 替换型号
  • 晶体管

位置：首页 > IC中文资料 > 2SC3076

2SC3076晶体管资料

  • 2SC3076别名：2SC3076三极管、2SC3076晶体管、2SC3076晶体三极管

  • 2SC3076生产厂家：日本东芝公司

  • 2SC3076制作材料：Si-NPN

  • 2SC3076性质：低频或音频放大 （LF）_开关管 （S）_功率放大 （L

  • 2SC3076封装形式：直插封装

  • 2SC3076极限工作电压：50V

  • 2SC3076最大电流允许值：2A

  • 2SC3076最大工作频率：80MHZ

  • 2SC3076引脚数：3

  • 2SC3076最大耗散功率：10W

  • 2SC3076放大倍数：

  • 2SC3076图片代号：A-80

  • 2SC3076vtest：50

  • 2SC3076htest：80000000

  • 2SC3076atest：2

  • 2SC3076wtest：10

  • 2SC3076代换 2SC3076用什么型号代替：2SD1078,2SD1221,2SD1448,2SD1758,2SD1801,2SD1802,2SD2178,

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
2SC3076

TRANSISTOR (POWER AMPLIFIER, SWITCING APPLICATIONS)

Power Amplifier Applications Power Switching Applications • Low collector saturation voltage: VCE (sat) = 0.5 V (max) (IC = 1 A) • Excellent switching time: tstg = 1.0 μs (typ.) • Complementary to 2SA1241

TOSHIBA

东芝

2SC3076

Silicon NPN Epitaxial

Features ● Low Collectror Saturation Voltage:VCE(sat)=0.5V(Max.)(IC=1A) ● Excellent Switching Time :tstg=1.0μs(Typ.)

KEXIN

科信电子

2SC3076

Power Amplifier Applications Power Switching Applications

Power Amplifier Applications Power Switching Applications • Low collector saturation voltage: VCE (sat) = 0.5 V (max) (IC = 1 A) • Excellent switching time: tstg = 1.0 μs (typ.) • Complementary to 2SA1241

TOSHIBA

东芝

2SC3076

丝印代码：C3076；Bipolar Small-Signal Transistors

MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBA

东芝

2SC3076

Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 50V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 70(Min)@ IC= 0.5A ·Fast switching speed ·Large current capacity APPLICATIONS ·Power amplifier applications ·Driver stage amplifier applications

ISC

无锡固电

2SC3076

Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 50V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 70(Min)@ IC= 0.5A ·Fast switching speed ·Large current capacity APPLICATIONS ·Power amplifier applications ·Driver stage amplifier applications

ISC

无锡固电

2SC3076

Power transistor for high-speed switching applications

Application Scope：Power amplifier\nPolarity：NPN\nComplementary Product：2SA1241\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：日本 Collector Current IC 2 A \nCollector power dissipation PC 10 W \nCollector power dissipation PC 1 W \nCollector-emitter voltage VCEO 50 V ;

TOSHIBA

东芝

2SC3076

Power Amplifier Applications Power Switching Applications

文件：176.83 Kbytes Page：5 Pages

TOSHIBA

东芝

2SC3076-251

Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 50V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 70(Min)@ IC= 0.5A ·Fast switching speed ·Large current capacity APPLICATIONS ·Power amplifier applications ·Driver stage amplifier applications

ISC

无锡固电

2SC3076-252

Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 50V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 70(Min)@ IC= 0.5A ·Fast switching speed ·Large current capacity APPLICATIONS ·Power amplifier applications ·Driver stage amplifier applications

ISC

无锡固电

2SC3076Y

Power Amplifier Applications Power Switching Applications

Power Amplifier Applications Power Switching Applications • Low collector saturation voltage: VCE (sat) = 0.5 V (max) (IC = 1 A) • Excellent switching time: tstg = 1.0 μs (typ.) • Complementary to 2SA1241

TOSHIBA

东芝

2SC3076_05

Power Amplifier Applications Power Switching Applications

文件：176.83 Kbytes Page：5 Pages

TOSHIBA

东芝

2SC3076产品属性

  • 类型

    描述

  • Polarity：

    NPN

  • Features：

    Low Satulation Voltage

  • VCEO(Max)(V)：

    50

  • IC(Max)(A)：

    2

  • hFE(Min)：

    70

  • hFE(Max)：

    240

  • VCE(sat)(Max)(V)：

    0.5

  • fT(Typ.)(MHz)：

    80

  • ComplementaryProduct：

    2SA1241

  • Comments：

    Rank is specified by hFE range.

  • Number of pins：

    3

  • Surface mount package：

    Y

  • Package name：

    New PW-Mold

  • Width×Length×Height(mm)：

    6.5 x 9.5 x 2.3

2SC3076供应商更多...

更新时间：2026-5-15 20:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市科芯源微电子有限公司
2SC3076
TOSHIBA/东芝
2026+
TO-252
54558
百分百原装现货 实单必成 欢迎询价
询价
深圳市创新迹电子有限公司
2SC3076-Y(TE16L1N
TOS
22+
TO252
20000
公司只有原装 品质保证
询价
深圳市赛美科科技有限公司
2SC3076-Y
TOS
TO-252
8553
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货
询价
深圳市威雅利发展有限公司
2SC3076-Y
TOSHIBA/东芝
07+
TO-251
193
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
询价
深圳市腾亿芯科技有限公司
2SC3076
TOSHIBA/东芝
25+
TO-252
20000
原装
询价
深圳市明嘉莱科技有限公司
2SC3076-Y
TOSHIBA/东芝
25+
IPAK
880000
明嘉莱只做原装正品现货
询价
深圳市科恒伟业电子有限公司
2SC3076-Y(T6L1
TOSHIBA/东芝
2450+
TO252
6540
只做原厂原装正品现货或订货!终端工厂可以申请样品!
询价
深圳市凯睿晟科技有限公司
2SC3076
TOSHIBA/东芝
21+
TO-252
33200
优势供应 实单必成 可13点增值税
询价
深圳市华斯顿科技有限公司
2SC3076-O/C3076
Sanyo
25+23+
To-252
34163
绝对原装正品全新进口深圳现货
询价
深圳市胜彬电子有限公司
2SC3076-YT
TOSHIBA/东芝
22+
TO-252
8000
原装正品支持实单
询价

2SC3076芯片相关品牌

2SC3076规格书下载地址

2SC3076参数引脚图相关

2SC3076数据表相关新闻

  • 2SC2712G-SOT23.3R-Y-TG

    2SC2712G-SOT23.3R-Y-TG

    2023-1-31

  • 2SC3356

    2SC3356,全新原装现货0755-82732291当天发货或门市自取. QQ：1755232575 /QQ：1157611585，微信号:87680558.

    2021-3-23

  • 2SC380TM-O

    只做原装假一赔十

    2020-11-14

  • 2SC3671-B,T2F(J

    产品属性 属性值 搜索类似 制造商: Toshiba 产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 系列: 2SC3671 技术: Si 商标: Toshiba 产品类型: BJTs - Bipolar Transistors 子类别: Transistors

    2020-11-5

  • 2SC2334中文资料

    2SC2334中文资料

    2019-2-18

  • 2SC2859中文资料

    2SC2859中文资料

    2019-2-18

DdatasheetPDF页码索引

新数据|IC资料索引|IC关键词|IC库存|IC中文资料|关于我们|联系我们

Copyright © 2003-2026 www.114ic.cn All Rights Reserved 网站备案: 粤ICP备05011613号 粤公网安备 44030402000933号

声明：本站所有资料均来自互联网及网友提供，仅供学习和研究使用，无任何商业目的，版权归原作如有侵权请联系QQ：303638005，本站马上更正

字母索引：ABCDEFGHIJKLMNOPQRSTUVWXYZ0123456789

深圳市市场监督管理局企业主体身份公示