Epitaxial Silicon Avalanche Photodiode

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大容量、高成本效益型Si APD

主要特性：\n\n在635nm处过滤的高响应度\n\n在所有波长处均噪声低且上升速度极快，响应频率高于1.5 GHz\n\n230μm感光直径，针对800nm响应进行了优化\n\n635nm光学带通滤光片\n\n无引脚陶瓷载体选项“LH”\n\n应用领域：\n\nLiDAR\n\n激光测距\n\n安全扫描\n\n需要低成本、高性能探测器的应用 • 感光直径：230μm\n• 峰值灵敏度波长：635 nm\n• 击穿电压Vbd：120-210（提供分选）\n• 常数M的工作电压温度系数：0.5 V/°C\n• 增益：在635 nm处为100\n• 响应度：在800 nm处为35 A/W\n• 暗电流Id：0.05 <0.5 nA\n• 噪声电流：0.1pA/√Hz\n• 电容：1 pF\n• 上升/下降时间：0.2 ns R 负载 = 50Ω\n• 截止频率：1.5 GHz\n• 储存温度：-50°C至+100°C\n• 工作温度：-40°C至+85°C\n• 封装：3x3mm玻璃窗，无引脚陶瓷载体(LCC)\n• 窗口：635 nm;

大容量、高成本效益型Si APD

主要特性：\n\n在905nm处过滤的高响应度\n\n在所有波长处噪声低且上升速度极快，响应频率高于700 MHz\n\n300μm感光直径，针对800 nm进行了优化\n\n905nm光学带通滤光片\n\n无引脚陶瓷载体选项“LH”\n\n应用领域：\n\n激光测距\n\n测距仪\n\n区域和安全扫描\n\n需要低成本、高性能探测器的应用 • 感光直径：300μm\n\n• 峰值灵敏度波长：905 nm\n\n• 击穿电压Vbd：110-165\n\n• 常数M的工作电压温度系数：0.6V/°C\n\n• 增益：在800 nm处为100\n\n• 响应度：在905 nm处为35A/W\n\n• 暗电流Id：1 nA\n\n• 噪声电流：0.2pA/√Hz\n\n• 结电容：0.7 pF\n\n• 截止频率：700 MHz\n\n• 储存温度：-40°C至+100°C\n\n• 工作温度：-20°C至+60°C\n\n• 封装：3x3mm玻璃窗无引脚陶瓷载体(LCC)\n\n• 窗口：905 nm过滤窗;

Epitaxial Silicon Avalanche Photodiode

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Epitaxial Silicon Avalanche Photodiode

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封装/外壳：6-CLCC 包装：散装 描述：SENSOR PHOTODIODE 650NM 6CLCC 传感器，变送器 光学传感器 - 光电二极管

光学传感器 - 光电二极管

封装/外壳：6-CLCC 包装：散装 描述：SI APD 230UM CERAMIC 900NM SMD 传感器，变送器 光学传感器 - 光电二极管

Epitaxial Silicon Avalanche Photodiode

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Epitaxial Silicon Avalanche Photodiode

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Silicon Avalanche Photodiodes (APDs) for LIDAR, range finding and laser meters ??plastic, leadless ceramic and FR4 packages

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