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-40V – -20A – P-channel Power MOS FET Application : Automotive

Description This product is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Features  Super low on-state resistance : RDS(on) = 25 m Max. ( VGS = -10 V, ID = -10 A ) RDS(on) = 38 m Max. ( VGS = -4.5 V, ID = -10 A )  Low input capacitance : Ciss = 16

RENESAS

瑞萨

isc P-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= -20A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= -40V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 25mΩ(Max)@VGS= -10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

ISC

无锡固电

P-Channel MOSFET

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LEIDITECH

雷卯电子

Single Phase 20.0 AMPS. Glass Passivated Bridge Rectifiers

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TSC

台湾半导体

Single Phase 20.0 AMPS. Glass Passivated Bridge Rectifiers

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TSC

台湾半导体

更新时间:2025-10-22 22:59:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS/瑞萨
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TO-252
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原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同
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RENESAS
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RENESAS/瑞萨
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RENESAS
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RENESAS
原厂封装
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原装进口公司现货假一赔百

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    C1CB00002620,当天发货0755-82732291全新原装现货或门市自取.

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