| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
DirectFET Power MOSFET Description The IRF6619 combines the latest HEXFET® Power MOSFET Silicon technology with the advanced DirectFETTM packaging to achieve the lowest on-state resistance in a package that has the footprint of an SO-8 and only 0.7 mm profile. The DirectFET package is compatible with existing layout | IRF |   | ||
RF AMPLIFIER MODEL 文件：196.47 Kbytes Page：1 Pages | APITECH | | ||
N-Channel and P-Channel Silicon MOSFETs General-Purpose Switching Device 文件：58.7 Kbytes Page：7 Pages | SANYO 三洋 | | ||
General-Purpose Switching Device Applications 文件：445.59 Kbytes Page：7 Pages | SANYO 三洋 | | ||
Low Profile (0.7 mm) 文件：287.67 Kbytes Page：10 Pages | IRF | |
更新时间：2025-11-3 16:57:01
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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IR |
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