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LowLossIGBT:IGBTinTrenchStopandFieldstoptechnology LowLossIGBT:IGBTinTrenchStop®andFieldstoptechnology TrenchStop®andFieldstoptechnologyfor1000Vapplications offers: -lowVCEsat -verytightparameterdistribution -highruggedness,temperaturestablebehavior -positivetemperaturecoefficientinVCEsat Designedf | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 |  | | |
HighSpeed2-Technology •Designedfor: -TV–HorizontalLineDeflection •2ndgenerationHighSpeed-Technology for1200Vapplicationsoffers: -lossreductioninresonantcircuits -temperaturestablebehavior -parallelswitchingcapability -tightparameterdistribution -EoffoptimizedforIC=3A -simpleGa | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 | | | |
ReverseConductingIGBTwithmonolithicbodydiode 文件：370.91 Kbytes Page：12 Pages | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 | | | |
SoftSwitchingSeries 文件：330 Kbytes Page：12 Pages | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 | | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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