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Low Loss IGBT: IGBT in TrenchStop® and Fieldstop technology
TrenchStop® and Fieldstop technology for 1000 V applications
offers:
- low VCEsat
- very tight parameter distribution
- high ruggedness, temperature stable behavior
- positive temperature coefficient in VCEsat
Designed for:
- frequency Converters
- uninterrupted Power Supply
Low EMI
Low gate charge
Qualified according to JEDEC for target applications
Pb-free lead plating; RoHS compliant
Complete product spectrum and PSpice Models:
http://www.infineon.com/igbt/
IGW30N100T产品属性
- 类型
描述
- 型号
IGW30N100T
- 功能描述
IGBT 晶体管 LoLoss IGBT TrnchStp Fieldstop tech
- RoHS
否
- 制造商
Fairchild Semiconductor
- 配置
集电极—发射极最大电压
- VCEO
650 V
- 集电极—射极饱和电压
2.3 V
- 栅极/发射极最大电压
20 V 在25
- C的连续集电极电流
150 A
- 栅极—射极漏泄电流
400 nA
- 功率耗散
187 W
- 封装/箱体
TO-247
- 封装
Tube
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IGW30N100TFKSA1 价格
参考价格：￥17.4518
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Infineon Technologies AG 英飞凌科技股份公司
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英飞凌科技股份公司（Infineon Technologies AG）是一家全球领先的半导体制造商，成立于1999年，总部位于德国。英飞凌专注于提供高效能和高可靠性的半导体解决方案，广泛应用于汽车、工业、通信以及消费电子等多个领域。公司的产品涵盖了功率半导体、微控制器、安全芯片和传感器等多种类型，致力于满足客户在能效、节能和安全方面的需求。 在汽车电子领域，英飞凌是重要的市场参与者，提供各种关键的解决方案，例如用于电动汽车和混合动力汽车的功率管理系统。此外，英飞凌还专注于提高工业自动化和智能家居系统的性能，通过其先进的传感器和控制技术促进智能制造和数字化转型。 公司在全球范围内拥有多个研发和制
