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BUV406晶体管资料

  • BUV406别名:BUV406三极管、BUV406晶体管、BUV406晶体三极管

  • BUV406生产厂家:德国电子元件股份公司

  • BUV406制作材料:Si-NPN

  • BUV406性质:开关管 (S)_功率放大 (L)

  • BUV406封装形式:直插封装

  • BUV406极限工作电压:200V

  • BUV406最大电流允许值:7A

  • BUV406最大工作频率:<1MHZ或未知

  • BUV406引脚数:3

  • BUV406最大耗散功率:60W

  • BUV406放大倍数

  • BUV406图片代号:B-45

  • BUV406vtest:200

  • BUV406htest:999900

  • BUV406atest:7

  • BUV406wtest:60

  • BUV406代换 BUV406用什么型号代替

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

7 AMPERES NPN SILICON POWER TRANSISTORS 60 WATTS 150 and 200 VOLTS

These devices are high voltage, high speed transistors for horizontal deflection output stages of TV’s and CRT’s. • High Voltage: VCEV = 330 or 400 V • Fast Switching Speed: tf = 750 ns (max) • Low Saturation Voltage: VCE(sat) = 1 V (max) @ 5 A • Packaged in Compact JEDEC TO–220AB

MOTOROLA

摩托罗拉

POWER TRANSISTORS(7A,150-200V,60W)

7 AMPERE POWER TRANSISTOR 150 - 200 VOLTS 60 WATTS

MOSPEC

统懋

IN-LINE MINIATURE SINGLE PHASE SILICON BRIDGE(VOLTAGE - 50 to 800 Volts CURRENT - 4.0 Amperes)

FEATURES • Plastic material has Underwriters Laboratory Flammability Classification 94V-O • Ideal for printed circuit board • Reliable low cost construction utilizing molded plastic technique • Surge overload rating: 200 Amperes peak • Pb free product are available : 99 Sn above can meet Rohs

PANJIT

強茂

Wideband, Low Power Monolithic Op Amp

文件:432.11 Kbytes Page:6 Pages

NSC

国半

Wideband, Low Power Monolithic Op Amp

文件:432.11 Kbytes Page:6 Pages

NSC

国半

更新时间:2026-5-16 22:59:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
onsemi(安森美)
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