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芯片资料

精确

型号	功能描述	生产厂家企业	LOGO	操作
BUL65B	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 250V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 20(Min)@ IC= 0.1A APPLICATIONS ·DC-DC converter,relay drivers,lamp drivers,motor drivers, inverter	ISC 无锡固电	ISC
BUL65B	ADVANCED DISTRIBUTED BASE DESIGN HIGH VOLTAGE HIGH SPEED NPN SILICON POWER TRANSISTOR 文件：19.97 Kbytes Page：2 Pages	SEME-LAB	SEME-LAB

类型
描述
型号
BUL65B
制造商
SEME-LAB
制造商全称
Seme LAB
功能描述
ADVANCED DISTRIBUTED BASE DESIGN HIGH VOLTAGE HIGH SPEED NPN SILICON POWER TRANSISTOR

BUL65B供应商更多...

更新时间：2026-3-12 20:00:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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BUK9Y19-75B
https://hfx03.114ic.com/
2022-4-7
BUK9Y22-100E MOSFET N-channel 100 V 22 mo FET
原装正品现货支持实单有单必成
2022-3-29
BUK9Y19-100E BUK9Y19-100E 电子元器件MOSFET 100V N-CH LOGIC LEVEL IN LFPA
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2022-3-29
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2019-12-2
Bulgin标准环形连接器PX0411/08P/4550原装现货
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2019-11-17