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BUK7609-75A	TrenchMOS standard level FET	ETC 知名厂家	ETC
BUK7609-75A	isc N-Channel MOSFET Transistor DESCRIPTION ·Drain Source Voltage : VDSS= 75V(Min) ·Low RDS(ON) ·Fast Switching Speed ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS ·Designed for Switched Mode Power Supplies (SMPS), motor control,welding, and in general purpose swi	ISC 无锡固电	ISC
BUK7609-75A	N-channel TrenchMOS standard level FET 1.1 General description Standard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to the appropriate AEC standard for use in automotive critical applications. 1.2 Features and benefits	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
BUK7609-75A	BUK7609-75A - N-channel TrenchMOS standard level FET	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
BUK7609-75A_15	N-channel TrenchMOS standard level FET 文件：364.26 Kbytes Page：13 Pages	Philips 飞利浦	Philips

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更新时间：2025-11-4 18:00:00

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2023-8-6
BUF634AIDRBR高速运算放大器
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2023-6-14
BUK762R9-40E产品资料规格参数
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2022-6-24
BUK761R4-30E,118产品参数描述
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2022-6-15
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2019-3-23
BUK204-50Y-TOPFET高侧开关SMD版BUK200-50Y
特点 * 垂直功率DMOS开关 * 低电阻状态5 V逻辑兼容输入 * 带滞后的过热保护，自我复位 * 输出过载短路保护负载电流限制;锁存 - 输入复位 * 高电源电压负载保护 * 电源欠压锁定 * 启动过载保护状态指示 * 诊断开路负载状态指示 * 极低的静态电流 * 关闭电感性负载的电压钳位 * 所有引脚的ESD保护 * 反向电池和过压保护单片温度和过载保护的电源开关基于MOSFET技术在5引脚塑料表面贴装信封，作为一
2012-11-14