BUK762R9-40E产品资料规格参数

时间:2022-6-24 10:12:00

BUK762R9-40E

器件描述

漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):100A(Tc) 栅源极阈值电压:4V @ 1mA 漏源导通电阻:2.9mΩ @ 25A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):234W(Tc) 类型:N沟道

参数

参数名称 属性值

属性 参数值

漏源电压(Vdss) 40V

连续漏极电流(Id)(25°C 时) 100A(Tc)

栅源极阈值电压 4V @ 1mA

漏源导通电阻 2.9mΩ @ 25A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C) 234W(Tc)

类型 N沟道

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N-channel TrenchMOS standard level FET

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安世安世半导体(中国)有限公司

NEXPERIA

N-channel TrenchMOS standard level FET

PhilipsPhilips Semiconductors

飞利浦荷兰皇家飞利浦

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2025-8-3 11:16:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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24+
TO-263
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只做原装正品 有挂有货 假一赔十
Nexperia(安世)
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支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。