BUK762R9-40E产品资料规格参数

时间:2022-6-24 10:12:00

BUK762R9-40E

器件描述

漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):100A(Tc) 栅源极阈值电压:4V @ 1mA 漏源导通电阻:2.9mΩ @ 25A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):234W(Tc) 类型:N沟道

参数

参数名称 属性值

属性 参数值

漏源电压(Vdss) 40V

连续漏极电流(Id)(25°C 时) 100A(Tc)

栅源极阈值电压 4V @ 1mA

漏源导通电阻 2.9mΩ @ 25A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C) 234W(Tc)

类型 N沟道

型号查询 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作

N-channel TrenchMOS standard level FET

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半导体(中国)有限公司

N-channel TrenchMOS standard level FET

PhilipsPhilips Semiconductors

飞利浦荷兰皇家飞利浦

2025-9-30 22:59:00
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