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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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BUK6D23-40E | 40 V, N-channel Trench MOSFET 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a medium power DFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits • Extended temperature range Tj = 175 °C • Side wettable flanks for o | NEXPERIA 安世 |   | |
BUK6D23-40E | 40 V, N-channel Trench MOSFET | NEXPERIA 安世 | |
更新时间：2025-12-31 23:01:00
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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2019-3-23BUK204-50Y-TOPFET高侧开关SMD版BUK200-50Y
特点 * 垂直功率DMOS开关 * 低电阻状态5 V逻辑兼容输入 * 带滞后的过热保护，自我复位 * 输出过载短路保护负载电流限制;锁存 - 输入复位 * 高电源电压负载保护 * 电源欠压锁定 * 启动过载保护状态指示 * 诊断开路负载状态指示 * 极低的静态电流 * 关闭电感性负载的电压钳位 * 所有引脚的ESD保护 * 反向电池和过压保护 单片温度和过载保护的电源开关基于MOSFET技术在5引脚塑料表面贴装信封，作为一
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