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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
30 V, N-channel Trench MOSFET 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a medium power DFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits • Extended temperature range Tj = 175 °C • Side wettable flanks for o | NEXPERIA 安世 |   | ||
Discrete and MOSFET components, analog & logic ICs 文件：11.62183 Mbytes Page：234 Pages | NEXPERIA 安世 | |
更新时间：2025-11-6 12:00:01
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEXPERIA/安世 |
2511 |
DFN2020-6 |
360000 |
电子元器件采购降本30%!原厂直采,砍掉中间差价 |
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恩XP |
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DFN-2020-6 |
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新到现货，只做全新原装正品 |
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Nexperia(安世) |
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DFN-6-MD(2x2) |
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原装现货 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司 专业为工厂一站式BOM配单服务
2019-3-23BUK204-50Y-TOPFET高侧开关SMD版BUK200-50Y
特点 * 垂直功率DMOS开关 * 低电阻状态5 V逻辑兼容输入 * 带滞后的过热保护，自我复位 * 输出过载短路保护负载电流限制;锁存 - 输入复位 * 高电源电压负载保护 * 电源欠压锁定 * 启动过载保护状态指示 * 诊断开路负载状态指示 * 极低的静态电流 * 关闭电感性负载的电压钳位 * 所有引脚的ESD保护 * 反向电池和过压保护 单片温度和过载保护的电源开关基于MOSFET技术在5引脚塑料表面贴装信封，作为一
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