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P-Channel 80 V (D-S) MOSFET

FEATURES • TrenchFET® power MOSFET • Package with low thermal resistance • Maximum 175 ºC junction temperature • Low RDS(on) minimizes power loss from conduction • Compatible with logic-level gate driving • 100 Rg and UIS tested • Material categorization: for definitions of compliance pl

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

P-Channel MOSFET

FEATURES ·Drain Current -ID=-150A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= -80V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 5.8mΩ(Max)@VGS= 10V APPLICATIONS ·Battery Protection ·Motor drive control ·Load switch

ISC

无锡固电

SI-60061-F

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bel

P-Channel 80 V (D-S) MOSFET

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VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

更新时间:2025-10-18 22:59:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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