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SUM60061EL

P-Channel 80 V (D-S) MOSFET

FEATURES • TrenchFET® power MOSFET • Package with low thermal resistance • Maximum 175 ºC junction temperature • Low RDS(on) minimizes power loss from conduction • Compatible with logic-level gate driving • 100 Rg and UIS tested • Material categorization: for definitions of compliance pl

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

SUM60061EL

P-Channel 80 V (D-S) MOSFET

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

P-Channel MOSFET

FEATURES ·Drain Current -ID=-150A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= -80V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 5.8mΩ(Max)@VGS= 10V APPLICATIONS ·Battery Protection ·Motor drive control ·Load switch

ISC

无锡固电

SI-60061-F

文件:319.22 Kbytes Page:4 Pages

BEL

P-Channel 80 V (D-S) MOSFET

文件:147.54 Kbytes Page:7 Pages

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

SUM60061EL产品属性

  • 类型

    描述

  • Package:

    TO-263

  • Ch:

    P

  • VDS (V):

    -80

  • VGS (V):

    20

  • RDS(on)@4.5V (Ω):

    0.0086

  • RDS(on)@10V (Ω):

    0.0061

  • Qg @10V (nC):

    145

  • Qgs (nC):

    34

  • Qgd (nC):

    16

  • ID Max. (A):

    -150

  • PD Max. (W):

    375

  • VGS(th) Min. (V):

    -1.5

  • Rg Typ. (Ω):

    2.3

更新时间:2026-5-19 22:58:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VISHAY
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原装现货海量库存欢迎咨询
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一级代理商进口原装现货、假一罚十价格合理
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37935
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原厂原封装
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代理授权原装正品价格最实惠 本公司承诺假一赔百

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