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BTN853L3

LowVcesatNPNEpitaxialPlanarTransistor

Features •Extremelylowequivalentonresistance;RCE(SAT)≤60mΩat5.2A •5.2Acontinuouscollectorcurrent(10.4Apeak) •Verylowsaturationvoltages •Excellentgaincharacteristics •Pb-freepackage

CYSTEKECCystech Electonics Corp.

全宇昕科技全宇昕科技股份有限公司

CYSTEKEC
更新时间:2024-6-23 20:00:00
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