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HighVoltagePNPEpitaxialPlanarTransistor

Description •Highbreakdownvoltage.(BVCEO=-500V) •Lowsaturationvoltage,typicalVCE(sat)=-0.11VatIc/IB=-20mA/-2mA. •ComplementarytoBTNA45N3 •Pb-freeleadplatingandhalogen-freepackage

CYSTEKECCystech Electonics Corp.

全宇昕科技全宇昕科技股份有限公司

CYSTEKEC
更新时间:2024-6-17 17:58:01
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