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BTP9050N3-0-T1-G

High Voltage PNP Epitaxial Planar Transistor

Description • High breakdown voltage. (BVCEO=-500V) • Low saturation voltage, typical VCE(sat) =-0.11V at Ic/IB =-20mA/-2mA. • Complementary to BTNA45N3 • Pb-free lead plating and halogen-free package

CYSTEKEC

全宇昕科技

更新时间:2026-2-17 16:31:00
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