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BTB857AD3

Low Vcesat PNP Epitaxial Planar Transistor

Features • Low VCE(sat), VCE(sat)=-0.15V (typical), at IC / IB = -2A / -0.2A • Excellent DC current gain characteristics • Wide SOA • RoHS compliant package

CYSTEKEC

全宇昕科技

更新时间:2025-8-17 23:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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国产

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