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BTB826M3

LowVcesatPNPEpitaxialPlanarTransistor

Features •LowVCE(sat),VCE(sat)=-0.65V(typical),atIC/IB=-3A/-0.1A •Excellentcurrentgaincharacteristics •Pb-freeleadplatingpackage

CYSTEKECCystech Electonics Corp.

全宇昕科技全宇昕科技股份有限公司

CYSTEKEC
更新时间:2024-6-24 8:14:00
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