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BTB5839M3

Low Vcesat PNP Epitaxial Planar Transistor

Features • Low VCE(sat), VCE(sat)=-0.3 V (max), at IC / IB = -2A / -0.1A • Excellent current gain characteristics • Pb-free lead plating and halogen-free package

CYSTEKEC

全宇昕科技

BTB5839M3

Bipolar Transistor

CYSTEKEC

全宇昕科技

更新时间:2025-12-25 23:01:00
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