BSZ160N10NS价格

参考价格:¥3.1625

型号:BSZ160N10NS3G 品牌:INFINEON 备注:这里有BSZ160N10NS多少钱,2026年最近7天走势,今日出价,今日竞价,BSZ160N10NS批发/采购报价,BSZ160N10NS行情走势销售排行榜,BSZ160N10NS报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

OptiMOS??Power-Transistor, 100V

文件:495.34 Kbytes Page:10 Pages

INFINEON

英飞凌

N 沟道功率 MOSFET

INFINEON

英飞凌

丝印代码:160N10N;OptiMOS??Power-Transistor, 100V

文件:495.34 Kbytes Page:10 Pages

INFINEON

英飞凌

OptiMOS3 Power-Transistor

文件:254.56 Kbytes Page:9 Pages

INFINEON

英飞凌

N-Channel 100 V (D-S) MOSFET

文件:1.79755 Mbytes Page:8 Pages

VBSEMI

微碧半导体

丝印代码:FIR160N10P;N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet

文件:4.148479 Mbytes Page:7 Pages

FOSTER

福斯特半导体

丝印代码:FIR160N10R;N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet

文件:4.17166 Mbytes Page:7 Pages

FOSTER

福斯特半导体

TrenchMV Power MOSFET

文件:180.6 Kbytes Page:5 Pages

IXYS

艾赛斯

丝印代码:D2PAK;isc N-Channel MOSFET Transistor

文件:299.23 Kbytes Page:2 Pages

ISC

无锡固电

BSZ160N10NS产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    BSZ160N10NS

  • 功能描述

    MOSFET N-KANAL POWER MOS

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2026-3-11 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon(英飞凌)
24+
TDSON8
30524
原厂直供,支持账期,免费供样,技术支持
INFINEON
100000
代理渠道/只做原装/可含税
INFINEON华凯诚
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DTSON-8
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一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
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INFINEON/英飞凌
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SOP8
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专营IR 英飞凌 支持含税

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