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参考价格：￥2.0738

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BSZ110N06NS3G	OptiMOS3 Power-Transistor Features • Ideal for high frequency switching and sync. rec. • Optimized technology for DC/DC converters • Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) • N-channel, normal level • 100 avalanche tested • Pb-free plating; RoHS compliant • Qualified according to JEDEC for targe	Infineon 英飞凌	Infineon
BSZ110N06NS3 G	N 沟道功率 MOSFET	Infineon 英飞凌	Infineon
BSC110N06NS3G	OptiMOS3 Power-Transistor Features • Ideal for high frequency switching and sync. rec. • Optimized technology for DC/DC converters • Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) • Superior thermal resistance • N-channel, normal level • 100 avalanche tested • Pb-free plating; RoHS compliant • Quali	Infineon 英飞凌	Infineon
BSC110N06NS3G	OptiMOSTM3 Power-Transistor 文件：398.95 Kbytes Page：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon

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更新时间：2026-1-4 23:01:00

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深圳市赛美科科技有限公司	BSZ110N06NS3G	INFINEON		ROHS	56520	一级代理原装正品假一罚十价格优势长期供货	询价
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BSZ042N06NSATMA
BSZ042N06NSATMA
2022-6-8
BSZ340N08NS3G 原装正品现货MOSFET N-Ch 80V 23A TSDSON-8 OptiMOS 3
支持实单价格优势有单必成
2022-4-26
BSZ340N08NS3 G MOSFET N-Ch 80V 23A TSDSON-8 OptiMOS 3
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2022-4-22
BSZ042N06NS 贴片TSDSON-8 场效应管 N-Ch 60V19A 全新原装现货
BSZ042N06NS
2022-2-24
BSZ042N06NS Infineon20+5000
BSZ042N06NS Infineon20+5000
2022-2-16
BSZ42DN25NS3GATMA1深圳市光华微科技有限公司18138231376
BSZ42DN25NS3GATMA1 - 晶体管， MOSFET， N沟道， 5 A， 250 V， 0.371 ohm， 10 V， 3 V
2019-7-15