BSS123-7价格

参考价格:¥0.0949

型号:BSS123-7-F 品牌:Diodes 备注:这里有BSS123-7多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,BSS123-7批发/采购报价,BSS123-7行情走势销售排行榜,BSS123-7报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
BSS123-7

N-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR

Description ThisMOSFETisdesignedtominimizetheon-stateresistance(RDS(ON))andyetmaintainsuperiorswitchingperformance,makingitidealforhighefficiencypowermanagementapplications. Features •LowGateThresholdVoltage •LowInputCapacitance •FastSwitchingSpeed •LowInp

DIODESDiodes Incorporated

美台半导体

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BSS123-7

N-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR

DescriptionandApplications TheseN-ChannelenhancementmodefieldeffecttransistorsareproducedusingDIODESproprietary,highdensity,usesadvancedtrenchtechnology.Theseproductshavebeendesignedtominimizeon-stateresistancewhileproviderugged,reliable,andfastswitchingperform

DIODESDiodes Incorporated

美台半导体

DIODES

N-Channel100-V(D-S)MOSFET

FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition •LowThreshold:2V(typ.) •LowInputCapacitance:25pF •FastSwitchingSpeed:25ns •LowInputandOutputLeakage •TrenchFET®PowerMOSFET •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC

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微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

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N-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR

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BSS123-7产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    BSS123-7

  • 功能描述

    MOSFET 100V 360mW

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-7-31 20:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
DIODES/美台
25+
SOT23
54648
百分百原装现货 实单必成 欢迎询价
DIODES/美台
25+
SOT23
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原装现货假一赔十
Diodes(美台)
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SOT-23(SOT-23-3)
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原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同
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