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位置：BSS123-7-F > BSS123-7-F详情

BSS123-7-F中文资料

BSS123-7-F
厂家型号

BSS123-7-F
文件大小

128.61Kbytes
页面数量

3页
功能描述

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

MOSFET 100V 360mW
数据手册

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生产厂商

DIODES

相近规格书

BSS123-7-F产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    BSS123-7-F

  • 功能描述

    MOSFET 100V 360mW

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS（导通）

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

BSS123-7-F供应商...

更新时间：2025-10-30 20:38:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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BSS123-7-F 价格

参考价格：￥0.0949

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