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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
BSP615S2L | OptiMOSPower-Transistor OptiMOSPower-Transistor Feature •N-Channel •Enhancementmode •LogicLevel | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 |  |   |
包装：卷带（TR） 描述：MOSFET SOT223-4 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 | | |
BSP615S2L产品属性
- 类型
描述
- 型号
BSP615S2L
- 功能描述
MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT-223
- RoHS
否
- 类别
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列
OptiMOS™
- 标准包装
1,000
- 系列
MESH OVERLAY™ FET
- 型
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大
40W
- 安装类型
通孔
- 封装/外壳
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装
TO-220FP
- 包装
管件
更新时间：2025-7-28 23:00:00
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
NA/ |
2000 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
|||
INFINE0N |
20+ |
SOT-223 |
38900 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
|||
INFINE0N |
25+ |
SOT-223 |
1000 |
原装正品,假一罚十! |
|||
INENOI |
09+ |
SOT223 |
35400 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
INFINEON |
25+ |
SOT-223 |
6500 |
十七年专营原装现货一手货源,样品免费送 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
SOT-223 |
23+ |
6000 |
专业配单原装正品假一罚十 |
|||
INFINEON |
23+ |
SOT-223 |
30000 |
代理全新原装现货,价格优势 |
|||
Infineon/英飞凌 |
24+ |
TDSON8 |
9987 |
公司现货库存,支持实单 |
|||
INFINEON |
25+23+ |
SOT223 |
72035 |
绝对原装正品现货,全新深圳原装进口现货 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
SOT-223 |
2000 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
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BSP615S2L参数引脚图相关
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- BSP88
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- BSP762
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- BSP75G
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- BSP742R
- BSP716N
- BSP-7
- BSP640-1.2M/JAUNE
- BSP6401.20M
- BSP640/1.2M
- BSP632-K-6
- BSP62T1
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- BSP62T/R
- BSP62H6327XT
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BSP324 H6327是英飞凌（Infineon）推出的一款MOSFET场效应管
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2025-7-7BSP613PH6327一款场效应管
SIPMOS®系列
2025-7-4BSP51E6327 中文资料 数据手册 详细参数
BSP51E632760000PCS
2025-5-19BSP742R
BSP742R
2022-11-23BSP752
BSP752，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2019-8-12BSP752RXT
BSP752RXT，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2019-8-7
DdatasheetPDF页码索引
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