
采用Si技术,N沟道,漏-源击穿电压(Vds)为400V,连续漏极电流(Id)为170mA,漏-源电阻(Rds On)为14.3Ohms,闸极-源极电压(Vgs)为-20V至+20V,门源门限电压(Vgs th)为1.9V,闸极充电(Qg)为4.54nC,功率消耗(Pd)为1.8W。晶体管极性为增强型,通道数为1,封装/外壳为SOT-223-4,安装风格为SMD/SMT。最低工作温度为-55°C,最高工作温度为+150°C。具有低比导通电阻、低栅极电荷以及输出电容中的能量存储非常低等特点,采用CoolMOS技术,具备高效率和功率密度、出色的性价比和高可靠性等优点。可应用于3C数码领域,在汽车应用中,可用于车身电子、动力总成、底盘和安全等系统,还可用于驱动泵、风扇、座椅调节等电机,以及车载充电器、高压/低压直流/直流转换器等。