发布企业：深圳市盈慧通电子有限公司时间：2025-7-7 10:20:00
企业：深圳市盈慧通电子有限公司
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采用Si技术，N沟道，漏-源击穿电压（Vds）为400V，连续漏极电流（Id）为170mA，漏-源电阻（Rds On）为14.3Ohms，闸极-源极电压（Vgs）为-20V至+20V，门源门限电压（Vgs th）为1.9V，闸极充电（Qg）为4.54nC，功率消耗（Pd）为1.8W。晶体管极性为增强型，通道数为1，封装/外壳为SOT-223-4，安装风格为SMD/SMT。最低工作温度为-55°C，最高工作温度为+150°C。具有低比导通电阻、低栅极电荷以及输出电容中的能量存储非常低等特点，采用CoolMOS技术，具备高效率和功率密度、出色的性价比和高可靠性等优点。可应用于3C数码领域，在汽车应用中，可用于车身电子、动力总成、底盘和安全等系统，还可用于驱动泵、风扇、座椅调节等电机，以及车载充电器、高压/低压直流/直流转换器等。
| 型号查询 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
SIPMOS Small-Signal Transistor (N channel Enhancement mode) | SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子西门子股份公司 |   | ||
SIPMOS Power-Transistor | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 | | ||
T-1 Subminiature Lamps | GILWAY Gilway Technical Lamp | | ||
Digital Camera LCD Product Line Features Low Power and Digital Interface Support | SonySony Corporation 索尼 | | ||
LOW POWER QUAD OPERATIONAL AMPLIFIERS | BCDSEMIBCD Semiconductor Manufacturing Limited 新进半导体上海新进半导体制造有限公司 | | ||
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| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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Infineon(英飞凌) | 23+ | N/A | 12000 | 一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 | |||
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