型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

NYLON HEX STANDOFF

[KEYSTONE] MALE/FEMALE THREADED STANDOFFS PC 104 MOUNTING KITS NYLON STANDOFFS

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET

FEATURES • TrenchFET®Power MOSFET • 100 Rg Tested • 100 UIS Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • Notebook System Power • Low Current DC/DC

VBSEMI

微碧半导体

Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

General Description The AO4822 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. Standard Product AO4822 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specifications). AO4822L is a Green Product order

AOSMD

万国半导体

Dual N-Channel MOSFET

■ Features ● VDS (V) = 30V ● ID = 8A (VGS = 10V) ● RDS(ON)

KEXIN

科信电子

30V Dual N-channel MOSFET

文件:304.99 Kbytes Page:6 Pages

AOSMD

万国半导体

BSO4822T产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    BSO4822T

  • 功能描述

    MOSFET N-CH 30V 12.7A 8-SOIC

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列

    OptiMOS™

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    MESH OVERLAY™ FET

  • MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大)

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大

    40W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装

    TO-220FP

  • 包装

    管件

更新时间:2026-2-4 21:09:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
AOS/万代
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