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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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N-Channel Enhancement MOSFET Application o Load switch « High Frequency Switching and Synchronous Rectification o Active Clamp in Intermediate « DC/DC Power Supplies | TECHPUBLIC 台舟电子 |   | ||
丝印代码：ADM150N06E；N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Features: ● Low Gate Charge for Fast Switching Application ● Low RDS(ON) to Minimize Conductive Loss ● 100% EAS Guaranteed ● Optimized V(BR)DSS Ruggedness ● Lead-Free,RoHS Compliant Description: The ADM150N30E uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) wit | ADV 爱德微 | | ||
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET 文件：193.94 Kbytes Page：6 Pages | UTC 友顺 | | ||
OptiMOS?? Power-Transistor 文件：318.56 Kbytes Page：9 Pages | INFINEON 英飞凌 | | ||
OptiMOS?? Power-Transistors 文件：325.25 Kbytes Page：10 Pages | INFINEON 英飞凌 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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