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BSN20.215

N-channelenhancementmodefield-effecttransistor

Description N-channelenhancementmodefield-effecttransistorinaplasticpackageusingTrenchMOS™1technology. Productavailability: BSN20inSOT23. Features ■TrenchMOS™technology ■Veryfastswitching ■Logiclevelcompatible ■Subminiaturesurfacemountpackage. Applications ■

PhilipsPhilips Semiconductors

飞利浦荷兰皇家飞利浦

更新时间:2025-6-6 11:02:00
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