BSM10GD120DN2E价格

参考价格:¥315.2180

型号:BSM10GD120DN2E3224 品牌:Infineon 备注:这里有BSM10GD120DN2E多少钱,2026年最近7天走势,今日出价,今日竞价,BSM10GD120DN2E批发/采购报价,BSM10GD120DN2E行情走势销售排行榜,BSM10GD120DN2E报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

BSM10GD120DN2

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Infineon

英飞凌

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Power module

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Infineon

英飞凌

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Infineon

英飞凌

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Infineon

英飞凌

封装/外壳:模块 包装:散装 描述:IGBT MODULE 1200V 15A 80W 分立半导体产品 晶体管 - IGBT - 模块

Infineon

英飞凌

封装/外壳:模块 包装:散装 描述:LOW POWER ECONO AG-ECONO2A-211 分立半导体产品 晶体管 - IGBT - 模块

Infineon

英飞凌

BSM10GD120DN2E产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    BSM10GD120DN2E

  • 功能描述

    IGBT 模块 N-CH 1.2KV 15A

  • RoHS

  • 制造商

    Infineon Technologies

  • 产品

    IGBT Silicon Modules

  • 配置

    Dual 集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    600 V

  • 集电极—射极饱和电压

    1.95 V 在25

  • C的连续集电极电流

    230 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    445 W

  • 最大工作温度

    + 125 C

  • 封装/箱体

    34MM

更新时间:2026-1-1 13:36:00
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