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BSM100GT120DN2

IGBTPowerModule(ThreesingleswitchesIncludingfastfree-wheelingdiodesPackagewithinsulatedmetalbaseplate)

•Threesingleswitches •Includingfastfree-wheelingdiodes •Packagewithinsulatedmetalbaseplate •SolderableTerminals

SIEMENS

Siemens Ltd

SIEMENS

BSM100GT120DN2产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    BSM100GT120DN2

  • 功能描述

    IGBT 模块 1200V 100A TRIPACK

  • RoHS

  • 制造商

    Infineon Technologies

  • 产品

    IGBT Silicon Modules

  • 配置

    Dual 集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    600 V

  • 集电极—射极饱和电压

    1.95 V 在25

  • C的连续集电极电流

    230 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    445 W

  • 最大工作温度

    + 125 C

  • 封装/箱体

    34MM

更新时间:2024-5-16 13:30:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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