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BSM100GB170DN2

IGBTPowerModule(Half-bridgeIncludingfastfree-wheelingdiodesPackagewithinsulatedmetalbaseplate)

•Half-bridge •Includingfastfree-wheelingdiodes •Packagewithinsulatedmetalbaseplate •RGon,min=15Ohm

SIEMENS

Siemens Ltd

SIEMENS
BSM100GB170DN2

IGBTPowerModule

•Half-bridge •Includingfastfree-wheelingdiodes •Packagewithinsulatedmetalbaseplate •RGon,min=15Ohm

eupeceupec GmbH

欧派克

eupec

封装/外壳:模块 包装:托盘托盘 描述:IGBT MOD 1700V 145A 1000W 分立半导体产品 晶体管 - IGBT - 模块

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon

BSM100GB170DN2产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    BSM100GB170DN2

  • 功能描述

    IGBT 模块 1700V 100A DUAL

  • RoHS

  • 制造商

    Infineon Technologies

  • 产品

    IGBT Silicon Modules

  • 配置

    Dual 集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    600 V

  • 集电极—射极饱和电压

    1.95 V 在25

  • C的连续集电极电流

    230 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    445 W

  • 最大工作温度

    + 125 C

  • 封装/箱体

    34MM

更新时间:2024-4-20 8:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
SIEMENS型号(耐压
2023+
80000
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品
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原装现货
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MODULE
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全新原装现货
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