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BSD5C031V

Microprocessor based equipment

Features 100Watts peak pulse power (tp =8/20μs) Bidirectional configurations Solid-state silicon-avalanche technology Low clamping voltage Low leakage current

UMW

友台半导体

BSD5C031V

静电抑制二极管

Bourns

伯恩斯

300 gate CMOS pld

文件:382.79 Kbytes Page:12 Pages

Intel

英特尔

更新时间:2025-10-16 9:38:00
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