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丝印代码:252N10NS;OptiMOS?? Power-Transistor

Features • Very low gate charge for high frequency applications • Optimized for dc-dc conversion • N-channel, normal level • Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) • Low on-resistance RDS(on) • 150 °C operating temperature • Pb-free lead plating; RoHS compliant • Qu

INFINEON

英飞凌

BSC252N10NSFGXT产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    BSC252N10NSFGXT

  • 制造商

    Infineon Technologies

  • 功能描述

    Trans MOSFET N-CH 100V 7.2A 8-Pin TDSON EP

更新时间:2026-7-31 23:01:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。

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