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BSC030N10NS5SC

OptiMOSTM 5 Power-Transistor, 100 V

Features • Dual-side cooled package with lowest junction-top thermal resistance • 175°C rated • N-channel, normal level • Very low on-resistance RDS(on) • Superior thermal resistance • 100 avalanche tested • Pb-free lead plating; RoHS compliant • Halogen-free according to IEC61249-2-21

Infineon

英飞凌

BSC030N10NS5SC

OptiMOS ™ 5 个功率 MOSFET 100 V,采用 SuperSO8 DSC 封装,具有双面冷却功能,可增强热性能

Infineon

英飞凌

包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述:TRENCH \u003e=100V 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 单个

Infineon

英飞凌

更新时间:2025-11-18 23:00:00
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