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BSC016N03LSG	丝印代码：016N03LS；OptiMOS?? Power-MOSFET Features • Fast switching MOSFET for SMPS • Optimized technology for DC/DC converters • Qualified according to JEDEC1) for target applications • N-channel • Logic level • Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) • Very low on-resistance R DS(on) • Superior thermal resistance • Avala	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BSC016N03MSG	丝印代码：016N03MS；OptiMOS?? M-Series Power-MOSFET 文件：298.38 Kbytes Page：10 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON

BSC016N03LSGXT供应商更多...

更新时间：2026-3-16 19:51:02

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	BSC016N03LSG	INFINEON/英飞凌	25+	QFN8	12496	INFINEON/英飞凌原装正品BSC016N03LSG即刻询购立享优惠#长期有货	询价
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千层芯半导体(深圳)有限公司	BSC016N03LSG	INFINEO	24+	TDSON-8	25000	一级专营品牌全新原装热卖	询价
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BSC018NE2LSATMA1 功率场效应管
BSC018NE2LSATMA1 BSC022N04LSATMA1 BSC028N06NSSCATMA1 BSC070N10NS5SCATMA1
2023-7-3
BSC016N03LSG MOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
原厂原装正品现货价格优势有单必成
2022-4-26
BSC010N04LSI百分百原装进口现货
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2021-1-7
BS83B12-3
BS83B12-3,当天发货0755-82732291全新原装现货或门市自取,
2020-8-8
BSC018NE2LS
产品属性属性值搜索类似制造商: Infineon 产品种类: MOSFET RoHS: 详细信息技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: TDSON-8 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 25 V Id-连续漏极电流: 100 A Rds On-漏源导通电阻: 1.8 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: 20 V Vgs
2019-10-11
BSC016N04LSG
BSC016N04LSG 深圳市拓亿芯电子有限公司，专业代理，分销世界名牌电子元器件，是一家专业化，品牌化的电子元器件，质量第一，诚信经营。
2019-3-7