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BSC014N03LSG	丝印代码：014N03LS；OptiMOS?? Power-MOSFET Features • Fast switching MOSFET for SMPS • Optimized technology for DC/DC converters • Qualified according to JEDEC1) for target applications • N-channel • Logic level • Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) • Very low on-resistance R DS(on) • Superior thermal resistance • Avala	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BSC014N03LSG	丝印代码：014N03LS；OptiMOS?? Power-MOSFET 文件：445 Kbytes Page：10 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BSC014N03MSG	丝印代码：014N03MS；OptiMOS?? M-Series Power-MOSFET 文件：298.24 Kbytes Page：10 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
RSF014N03	丝印代码：PN；4V Drive Nch MOSFET ■ MOSFETs ● Small Signal MOSFET Series ● Middle Power MOSFET Series ● Power MOSFET Series ■ Selector Guide for Automotive MOSFETs (AEC-Q101) ■ Bipolar Transistors (Surface mount type) ■ Transistor Array ■ Complex Bipolar Transistors ■ Digital Transistors ■ Complex Digital Transis	ROHM 罗姆	ROHM
RSF014N03	丝印代码：PN；4V Drive Nch MOSFET 文件：83.06 Kbytes Page：5 Pages	ROHM 罗姆	ROHM

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更新时间：2026-3-17 7:47:01

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BSC016N03LSG MOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
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2022-4-26
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2021-1-7
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2020-8-8
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2019-12-16
BSC018NE2LS
产品属性属性值搜索类似制造商: Infineon 产品种类: MOSFET RoHS: 详细信息技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: TDSON-8 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 25 V Id-连续漏极电流: 100 A Rds On-漏源导通电阻: 1.8 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: 20 V Vgs
2019-10-11
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2019-3-7