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BRD2N60	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology 文件：1.90449 Mbytes Page：5 Pages	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司
2N60	600VN-ChannelPowerMOSFET Features ●RDS(ON)	DYELECDIYI Electronic Technology Co., Ltd. 迪一电子山东迪一电子科技有限公司
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2N60	N2Amps竊?00VoltsN-ChannelMOSFET Description TheET2N60N-CeannelenhancementmodesilicongatepowerMOSFETisdesignedforhighvoltage,highspeedpowerswitchingapplicationssuchasswitchingregulators,switchingconverters,solenoid,motordrivers,relaydrivers. Features ●RDS(ON)=5.00Ω@VGS=10V ●Lowgatecharge	ESTEKEstek Electronics Co. Ltd Estek Electronics Co. Ltd
2N60	2Amps,600/650VoltsN-CHANNELPOWERMOSFET TheUTC2N60isahighvoltageMOSFETandisdesignedtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowgatecharge,lowon-stateresistanceandhaveahighruggedavalanchecharacteristics.ThispowerMOSFETisusuallyusedathighspeedswitchingapplicationsinpowerupplies,PWM	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司
2N60	2A600VN-channelEnhancementModePowerMOSFET 文件：1.34834 Mbytes Page：13 Pages	WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 东海半导体江苏东海半导体科技有限公司

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更新时间：2024-6-14 11:36:00

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