| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
BNS03E4 | Mechanical Cam Switches BNS 816-B02-NA-12-605-11-S90R Basic features Approval/Conformity CE UKCA WEEE Basic standard IEC 60947-5-2 Operating principle 1-2. Switch position: Inductive Version Inductive | Balluff 巴鲁夫 |   | |
Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode Power Switching Features • High speed switching • Capable of 4.5 V gate drive • Low drive current • High density mounting • Low on-resistance • Pb-free • Halogen-free | RENESAS 瑞萨 | | ||
Built in SBD N Channel Power MOS FET High Speed Power Switching 文件：142.41 Kbytes Page：7 Pages | RENESAS 瑞萨 | |
更新时间：2025-12-23 9:32:00
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